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相对于传统硅（Si）器件，氮化镓（GaN）功率器件有着更优越的性能，包括更高的开关频率和功率密度及更低的开关损耗等特点。由于高速的开关特性，器件的寄生电容与线路中的寄生电感会发生谐振．从而导致器件两端电压发生过冲和振荡的现象。此处利用一种双脉冲测试电路，对GaN器件的开关过程进行建模分析．设计合理的缓冲电路有效抑制电压过冲和振荡的问题。最后利用GS66504B GaN E-高电子迁移晶体管（HEMTs）评估板，对缓冲电路设计参数进行实验研究并修正，实验结果验证了缓冲电路方案的有效性。