【摘 要】
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采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上
【基金项目】
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国家高等学校学科创新引智计划资助项目(B14010).
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采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GHz处,两个通道的增益分别为19.1dB和18.9dB,输出1dB压缩点分别为9.57dBm和8.41dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2mm×1.25mm.
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