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对于堆叠器件的3-D封装领域而言，穿透硅通孔技术（TSV）是一种新兴的技术解决方案。将器件3-D层叠和连接可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成密度。由于3-D TSV技术有助于提高产品电学性能、解决内存延时问题、降低芯片功耗和噪声，它能够在许多领域获得运用。包括高带宽内存与逻辑器件的界面应用等在内的特殊需求领域已经成为推动TSV技术发展的主要动力。