CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能（英文）

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【摘要】

：

通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单

【作者】

：

李磊刘宪云钱忠建江兴方

【机构】

：

常州大学数理学院

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2016年2期

【关键词】

：

纳米材料 CoSb3 低压化学气相沉积热电性半导体 NanomaterialsCoSb3Low pressure chemical vapor deposi

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通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.

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