【摘 要】
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本文叙述X波段GaAs功率体效应二极管的设计及其研制结果.着重分析器件的热性能,从理论上计算出器件结构参数与其热参数及输出功率、转换效率的关系曲线.采用双管芯并联合成,
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本文叙述X波段GaAs功率体效应二极管的设计及其研制结果.着重分析器件的热性能,从理论上计算出器件结构参数与其热参数及输出功率、转换效率的关系曲线.采用双管芯并联合成,突破了器件的热性能限制,使输出功率显著提高.在X波段最大输出功率为780mW,效率为3.9%.
In this paper, the design of X-band GaAs power body effect diode and its research results are described. The thermal performance of the device is analyzed emphatically, and the relationship between the device structure parameters and its thermal parameters, output power and conversion efficiency is theoretically calculated. , Breaking the thermal limitations of the device, the output power significantly increased in the X-band maximum output power of 780mW, the efficiency of 3.9%.
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