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在分析氢离子敏场效应传感器（H^＋-ISFET）的结构特性与测量原理基础上，采用单片机技术，对传感器的信号进行了智能处理，主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除，对环境温度的影响进行补偿，由此可以提高氢离子检测的可靠性和测量精度。
氢离子敏场效应测量仪的设计
【摘 要】
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在分析氢离子敏场效应传感器（H^＋-ISFET）的结构特性与测量原理基础上，采用单片机技术，对传感器的信号进行了智能处理，主要是对检测过程中瞬态波动产生的异常信号进行剔除，对环境温度
【机 构】
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中国矿业大学信息与电气工程学院
【出 处】
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中国仪器仪表
【发表日期】
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2008年7期
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