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深反应离子刻蚀（DRIE）设备，主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀．介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备，采用ICP技术，刻蚀深宽比≥25：1．着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法．
用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备
【摘 要】
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深反应离子刻蚀（DRIE）设备，主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀．介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备，采用ICP技术，刻蚀深宽比≥25：1．着重阐述了该设备的结构组成
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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2006年05A期
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