【摘 要】
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基于泊松方程和高斯定理,采用非迭代算法,在考虑非晶氧化锌薄膜晶体管（Amorphous zinc oxide thin film transistors,a-ZnO TFTs）带隙能态的指数带尾态和深能态的完整分布条件
【机 构】
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暨南大学信息科学技术学院电子工程系
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基于泊松方程和高斯定理,采用非迭代算法,在考虑非晶氧化锌薄膜晶体管（Amorphous zinc oxide thin film transistors,a-ZnO TFTs）带隙能态的指数带尾态和深能态的完整分布条件下,解析地建立了a-ZnO TFTs的表面势紧凑模型。与数值迭代算法的计算结果进行比较,该紧凑模型的绝对误差低至10^-5 V数量级,且提高了计算效率;与其它实验拟合的陷阱态密度结果对比,进一步验证了模型的正确性。最后,提出的表面势紧凑模型可适用于a-ZnO TFTs器件漏电流模型的建构及其
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