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近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wzq8013

【作 者】

：

徐江涛  程耀进  张太民  李敏  师宏立  刘蓓蓓  侯志鹏 

【出 处】

：

真空电子技术

【发表日期】

：

2011年10期

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