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本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击穿电压为330V的平面技术.
提高VDMOS/npn复合结构击穿特性的平面技术
【摘 要】
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本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1988年02期
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