【摘 要】
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适当控制基区的杂质分布,可以获得性能优越的超增益器件。我们据此进行批量生产的超增益器件,在I_C=10μA,V_(CB)=6V条件下,NPN型的h_(PE)可大于2000,BV_(CEO)可大于30V;PNP
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适当控制基区的杂质分布,可以获得性能优越的超增益器件。我们据此进行批量生产的超增益器件,在I_C=10μA,V_(CB)=6V条件下,NPN型的h_(PE)可大于2000,BV_(CEO)可大于30V;PNP型的h_(FE)可大于800,BV_(CEO)可大于20V。器件的I_(CEO)可低于10pA。若与氮化硅-高温氮氢烘焙工艺相结合,将为高可靠、高精度线性集成电路提供工艺基础。
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