【摘 要】
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利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeV Si离子轰击SiO产生的Si+二次离子动能分布和溅射产额.实验发现,当入射离子能量在1-2MeV时,溅射产额随离子能量上升而下降,这个趋势利
【机 构】
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北京大学重离子物理研究所,日本京都大学核工程系
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利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeV Si离子轰击SiO产生的Si+二次离子动能分布和溅射产额.实验发现,当入射离子能量在1-2MeV时,溅射产额随离子能量上升而下降,这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释;当入射离子能量高于3MeV时,溅射产额随离子能量上升而增加,电子溅射机理开始占主要地位,并且溅射规律与热峰模型的预期符合.通过对实验结果的综合分析,得到了重离子溅射SiO2的普适溅射产额公式.
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