【摘 要】
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作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 69990 5 40 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 -0 3 -66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 60 )资助项目
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作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果:采用自行设计的UHV/CVD系统,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点,直到250K仍能观察到自组织生长Ge/Si(001)量子点的发光峰;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管(RCE PD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉-马赫-曾德干涉型光开关等Si基光电子器件;1.3μm处RCE PD的量子效
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