【摘 要】
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采用改进后的顶部籽晶熔渗生长（M-TSIG）工艺,通过在固相先驱粉体中掺杂不同含量的BaO来有效地抑制GdBCO样品生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,从而成功地制备出了一系列单畴Gd BC
【机 构】
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西安航空学院理学院,陕西师范大学物理学与信息技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：51572164）, 教育部科学技术研究重大项目（编号：311033）, 西安航空学院校级科研项目（编号：2016KY1213）资助的课题
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采用改进后的顶部籽晶熔渗生长（M-TSIG）工艺,通过在固相先驱粉体中掺杂不同含量的BaO来有效地抑制GdBCO样品生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,从而成功地制备出了一系列单畴Gd BCO超导块材,并且对样品的宏观形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能进行了研究.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品的熔化温度（Tm）及包晶反应温度（Tp）均出现逐渐降低的趋势;同时,当样品中BaO的添加量在2wt%—4wt%时,可以在一定的程度上有效提高Gd BCO样品的磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超
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