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期刊论文
聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究
聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究
来源 :天津工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caijunever
【摘 要】
:
通过化学氧化聚合法合成了3种聚噻吩衍生物,并通过测定紫外一可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱以及循环伏安曲线对3种聚合物的光电性质进行了表征,确定其光学性质、带隙及
【作 者】
:
乌海燕
刘福德
王娟
周勇
【机 构】
:
天津理工大学化学化工学院
【出 处】
:
天津工业大学学报
【发表日期】
:
2013年2期
【关键词】
:
聚噻吩
光电性质
禁带宽度
化学氧化法
polythiophene
photoelectronic properties
band gap
chemica
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通过化学氧化聚合法合成了3种聚噻吩衍生物,并通过测定紫外一可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱以及循环伏安曲线对3种聚合物的光电性质进行了表征,确定其光学性质、带隙及HOMO/LUMO轨道能量.结果表明,在噻吩环3一位引入长链取代基可提高聚合物最大吸收波长λmax,降低聚合物带隙.
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