毫米波单片有源混频器的研制

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【摘要】

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采用OMM IC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺

【作者】

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严蘋蘋洪伟陈继新

【机构】

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东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

混频器砷化镓毫米波变频增益隔离度 mixer GaAs millimeter wave conversion gain isolation

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采用OMM IC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.

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