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阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。
利用离子束技术及PECVD制备碳化硅
【摘 要】
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阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,中国科学院上海冶金研究所离子束实验室
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1998年9期
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