超高速GaAs IC的封装

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本文报导了两种36根引线的芯片载体管壳,该管壳能满足超高速GaAs IC的要求,时标速率可达3GHz,上升和下降时间为100μμs。根据传播延迟时间、短截线长度、交调失真和电源控制,分析了封装要求。研制了最大管壳尺寸为1cm×1cm且带有内接地面和电源旁路电容器的两种管壳,第一种封装方法采用了多 This paper reports two 36-lead chip carrier packages that meet the requirements of very fast GaAs ICs with up to 3GHz time-scale rates and 100μs rise and fall times. The package requirements were analyzed based on propagation delay time, stub length, crosstalk and power control. Developed the largest shell size of 1cm × 1cm and with an internal ground and power bypass capacitors of the two kinds of shell, the first package method used more
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