退火温度对Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程的影响研究

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基于铝诱导晶化方法,通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al(Ce)靶材,制备了Al—Si和Al(Ce)Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪在不同温度下,对样品进行了退火实验并分析了AlSi和Al(Ce)-Si薄膜的晶化和生长过程;结合Si薄膜的生长机理,研究了Al和稀土Ce在对Si薄膜退火晶化过程中的影响。结果表明:在Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程中,Ce可促进Si原子沿Si(111)晶面生长;500℃退火后,与Al—Si薄膜相比A1(Ce)Si薄膜中si的平均晶粒尺寸显著减小;Ce的存在
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