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本实验直接采用Ａｌ２Ｏ３粉还原氮化制备ＡｌＮ瓷，以简化ＡｌＮ瓷的制备工艺，提高ＡｌＮ瓷性能，降低成本。结果表明烧结体的主晶相确定为ＡｌＮ，且瓷导热率最高可达１０４Ｗ／ｍ．Ｋ。
AlN瓷的制备方法
【摘 要】
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本实验直接采用Ａｌ２Ｏ３粉还原氮化制备ＡｌＮ瓷，以简化ＡｌＮ瓷的制备工艺，提高ＡｌＮ瓷性能，降低成本。结果表明烧结体的主晶相确定为ＡｌＮ，且瓷导热率最高可达１０４Ｗ／ｍ．Ｋ。
【机 构】
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电子部十二所
【出 处】
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硅酸盐通报
【发表日期】
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1996年2期
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