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采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（FFIR）、光致发光（PL）和光致发光激发谱（PLE）检测。结果表明SiO2薄膜中存在纳米Si晶粒，并且含有AlOx成分。室温下，可以观察到位于3．24～3．42ev的较强紫外光致发光，其发光强度随退火温度和Al含量的变化而变化。分析表明该发光带与SiO2中的氧空位缺陷有关，缺陷分布与纳米＆的形成以及不同Al含量的氧化有关，从而影响薄膜发光强