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采用以低压氙（Xe)气激发真空紫外光作光源，以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜。通过椭圆偏振法、红外光谱法、C－V特性对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行研究。结果表明：衬底温度在40－200℃范围内，薄膜的折射率在1．40－1．46之间，在沉积膜的红外光谱中未出现与Si-H、Si-OH相对应的红外吸收峰。SiO2薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大，其最小值可达1．73×10^10cm^-2。