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就 Gd5Si2Ge2化合物的激光熔覆成形工艺作了初步研究.实验表明: Gd5Si2Ge2在 Gd基体上可以实现良好的冶金结合.在最小厚度不小于 1mm的基板上,控制激光参数可以使熔覆层的稀释度保持在 10%左右.
Gd5Si2Ge2／Gd室温磁制冷复合材料激光熔覆成形工艺研究
【摘 要】
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就 Gd5Si2Ge2化合物的激光熔覆成形工艺作了初步研究.实验表明: Gd5Si2Ge2在 Gd基体上可以实现良好的冶金结合.在最小厚度不小于 1mm的基板上,控制激光参数可以使熔覆层的稀
【机 构】
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四川大学
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2003年5期
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