894nm外腔半导体激光器

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介绍了一种基于Littrow结构的894 nm外腔半导体激光器的设计原理,给出了光栅转轴的优化点计算,分析了无跳模范围和实际转轴位置的关系,指出了实际光栅转轴点的合理位置。针对铯原子激光抽运磁力仪的应用要求,通过外腔的选频功能,以及低噪声激光电流源、低温漂温控器和低噪声压电陶瓷驱动器,实现了自由运转波长为904 nm的激光管调谐到894 nm的单模运转,连续无跳模范围在3GHz以上。共焦FP腔的观测表明,外腔半导体激光器对自由运转激光管的线宽进行了有效压窄。搭建了饱和吸收谱装置,成功观测到了Cs原子D1线的F=3->F′=3,4和F=4->F′=3,4两套饱和吸收谱线。 A design principle of a 894 nm external cavity semiconductor laser based on Littrow structure is introduced. The calculation of the optimum point of the grating axis is given. The relationship between the mode without jump mode and the position of the actual spindle is analyzed. The reasonable position of the actual grating axis point is pointed out . Aiming at the application requirements of cesium atomic laser pumping magnetometer, the free-running laser with wavelength of 904 nm is realized through the frequency selection of external cavity, low noise laser current source, low temperature drift thermostat and low noise piezoelectric ceramic driver The tube is tuned to single-mode operation at 894 nm, with continuous mode-free hopping above 3GHz. The observation of the confocal FP cavity shows that the external cavity semiconductor laser effectively narrows the line width of the free running laser tube. A saturated absorption spectrum device was set up and two saturated absorption lines of F = 3-> F ’= 3,4 and F = 4-> F’ = 3,4 of D1 line of Cs atom were successfully observed.
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