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基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

来源 :华东理工大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhxsmg88

【摘 要】

：

通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出

【作 者】

：

康耀鹏 汪鹏君 张会红 李刚 

【机 构】

：

宁波大学电路与系统研究所

【出 处】

：

华东理工大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2018年5期

【关键词】

：

CNFET 三值数据比较 CAM 三值逻辑 CNFET ternary data search CAM ternary logic 

【基金项目】

：

浙江省公益性技术应用研究计划项目(2016C31078),国家自然科学基金(61474068,61234002)

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通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正

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