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研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。通过改变沉积工艺参数，研究了射频功率、载气体分压比和反应压强与电子能量状态之间的联系及电子能量状态变化对氮化硅薄膜应力的影响。最终制备出了应力只有-182．4MPa的低应力氮化硅薄膜。
PECVD中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响
【摘 要】
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研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。通过改变沉积工艺参数，研究了射频功率、载气体分压比和反应压强与电子能量状态之间的联系及电子能量状态
【机 构】
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中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
【出 处】
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新技术新工艺
【发表日期】
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2007年7期
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