【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜.研究了氮流量比对薄膜组分、
【机 构】
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北华大学物理学院,吉林大学物理学院,北华大学物理学院,吉林大学物理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金，吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目
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利用射频磁控溅射方法,使用Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜.研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响.结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减小,结晶质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变.在氮流量比为20％时,获得了最好的p型导电薄膜.另外,随着氮流量比的增加,拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强,
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