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以往用于提高ZnO压敏电阻器8/20通流容量的方法对其静态性能有不良影响,笔者介绍了一种能同时提高ZnO压敏电阻器的静态性能及8/20冲击性能的方法.该方法通过调整Bi-2O-3、MnCO-3含量,降低ZnO压敏电阻器陶瓷晶界易迁移离子,改善晶界结构,可以在提高ZnO压敏电阻器通流容量的同时降低电位梯度,改善静态漏电流及压比.