【摘 要】
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目的：观察半导体激光照射后深II度烫伤患儿削痂术后创面愈合过程的临床变化。方法：80例深II度烫伤削痂术患儿随机平分为治疗组和对照组，两组均予补液、抗感染等常规治疗，治疗组削
【机 构】
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北京丰台右安门医院,北京,100069
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目的：观察半导体激光照射后深II度烫伤患儿削痂术后创面愈合过程的临床变化。方法：80例深II度烫伤削痂术患儿随机平分为治疗组和对照组，两组均予补液、抗感染等常规治疗，治疗组削痂术后5天另行半导体激光照射，比较两组效果及愈合时间。结果：治疗组总有效率为92.5%，显著高于对照组的75.0%（P=0.0465<0.05）；治疗组愈合时间显著少于对照组（P<0.05）。结论：半导体激光照射能明显促进磨削痂术后创面愈合，缩短创面愈合时间。
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