【摘 要】
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采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵
【机 构】
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上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米加工技术实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,
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采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V。此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃~300℃之间。
An AMONIL lattice structure with a density of 3.8 M / In2 was fabricated on a 2 in. Si / Si O2 -based Ti / Ti N / Si2Sb2Te5 (SST) multilayer by an efficient and low cost UV- , And the phase-change material SST array was obtained by reactive ion etching. The resistance and pulse width characteristics of the SST-based PCRAM memory cell SET / RESET resistance change about 30 times, IV characteristics show that the threshold voltage of 1.18 V. In addition, the time-resolved XRD situ SST film structure changes, SST material phase transition occurred between 200 ℃ ~ 300 ℃.
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