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借助现代实验仪器在微纳量级模拟化学机械抛光工况条件，采集摩擦界面的实时摩擦因数，研究单晶硅片化学机械抛光中的化学作用和机械作用的协同及相互影响关系．研究结果表明：在一定的化学机械抛光工艺条件下，去离子水和过氧化氢的化学作用及抛光正压力与滑划速度的机械作用对化学机械抛光的材料去除过程有着不同的影响．进一步分析研究获得了化学和机械作用协同的工艺参数条件：当抛光正压力为70mN、滑划速度为8．00mm／s时，抛光效果最优．