基于BiCMOS工艺的高速10位A／D转换器研究

来源 :成都信息工程学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：com_cn121

【摘要】

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研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC .在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设

【作者】

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赵继德马传龙李应良

【机构】

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烟台师范学院物理与电子工程学院,重庆邮电学院

【出处】

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成都信息工程学院学报

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

：

BICMOS A/D转换器专用集成电路比较器残差放大器 BiCMOS A/D converter ASIC comparator residue

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研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC .在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路,残差放大器.最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真,得出比较器瞬态响应突变时间为600ns,残差放大器建立时间为1.5μs、放大增益约为2dB,其性能指标超出了同类器件.

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