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对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ ＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５。波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ。
1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成
【摘 要】
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对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ ＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５。波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ。
【机 构】
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西安交通大学微电子工程系
【出 处】
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半导体学报：英文版
【发表日期】
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1998年2期
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