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采用电子柬蒸发方法在n—Si(100)衬底上制备Pb(ZrxTi1-x)O3(简记为PZT)多晶薄膜.用X射线衍射分析了PZT薄膜的结晶择优取向与Zr/Ti成分比、生长温度、退火气氛和退火温度的关系.结果表明不同Zr/Ti比的薄膜在真空中退火都形成(110)择优取向;而在空气中退火后薄膜的择优方向与Zr/Ti成分比有关,Zr/Ti比值小时为(101)择优取向,Zr/Ti大时为(100)择优取向.红外吸收光谱的测量结果表明(100)和(110)择优取向的PZT薄膜在长红外波段(8~12um)存在较强的吸收峰