YCCo_3(CO)_9金属簇络合物的合成与醛化性能(Ⅱ)

来源 :石油化工 | 被引量 : 0次 | 上传用户:asdfghjke
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文报导了常压合成金属簇络合物的新方法,合成了BrCCo_3(CO)_9和β-C_(10)H_7GCo_3(CO)_9。考察了这两种簇络合物对己烯-1的醛化活性,并和HCCo_3(CO)_9、ClCCo_3(CO)_9、PhCCo_3(CO)_9及C_2H_5O_2CCCo_3(CO)_9等簇络合物的醛化活性进行了比较。结果表明,这两种簇络合物亦是新型的烯烃醛化催化剂。在较缓和的条件下(反应温度140℃,压力40公斤/厘米~2,反应4小时),己烯-1转化率达98%以上,醇醛选择性95%以上。讨论了YCCo_3(CO)_9金属簇络合物作为醛化催化剂的特点。 This paper reports a new method for the synthesis of metal cluster complexes at atmospheric pressure. BrCCo 3 (CO) _9 and β-C_ (10) H_7GCo_3 (CO) _9 were synthesized. The hydroformylation activity of hexadecene-1 with HCCo_3 (CO) _9, ClCCo_3 (CO) _9, PhCCo_3 (CO) _9 and C_2H_5O_2CCCo_3 (CO) _9 The hydroformylation activity was compared. The results show that these two cluster complexes are also new aldehyde hydroformylation catalysts. Under mild conditions (reaction temperature 140 ℃, pressure 40 kg / cm ~ 2, reaction time 4 h), the conversion of hexene-1 reached over 98%, and the selectivity to alcohol aldehyde was above 95%. The characteristics of YCCo_3 (CO) _9 metal cluster complexes as hydroformylation catalysts are discussed.
其他文献
硫氰酸根离子选择电极在国内外均有报导。它用于电镀工业、环境监测等方面有着重要意义。但是,根据现有资料报导,硫氰酸根电极多是以AgSCN为电活性物质的固态膜电极,测量范
目的:探讨不同手术方式治疗剖宫产术后子宫切口憩室的效果。方法:对我院2014年2月至2016年2月剖宫产术后子宫切口憩室47例病例进行回顾性分析。结果:宫腹腔镜组与宫腔镜组在
目的:探究治疗老年性阴道炎中采用不同方法的效果。方法:将在我院进行治疗的60患有老年性阴道炎的患者进行观察,将60例患者分成两个组,每组30人,记为观察组和对照组,观察组的
采用新法春季培育侧柏苗木,不仅可以缩短圃地育苗时间,提高苗木质量和产量,而且雨季即可出圃造林,大大加快荒山绿化步伐。其方法如下: 一、激素催芽 2月下旬采用ABT1号生根
应用光亮连续退火模拟实验机,在300℃过时效的工艺条件下,通过连续退火实验研究了临界区加热温度对600 MPa级冷轧连续退火双相钢组织和性能的影响。结果表明,临界区加热温度
记者:陈云同志过去曾被戴上“右倾机会主义”的帽子,后来,又有人说他“左”了。请您介绍一下,为什么在一些人眼里,陈云同志的思想会忽“左”忽“右”呢?朱佳木:陈云同志反复
位于祖国胶东半岛的青岛市,在2005年的夏季以其成功争创全国文明城市的殊荣和中俄两国军队又在此地成功举办联合军事演习的重大活动,在不断地吸引着世人的眼球。记者在媒体的
文献报导,用 PR 和 CTMAB 分光光度法测定钨时,在27.6微克/25毫升钨溶液中分别含钼、钛0.1毫克,测得钨的相对误差分别为+122%、+83%.本文在文献基础上,改进了测定方法,加入
2006年5月9日,国家环保总局在京召开了思想作风整顿动员大会,就此,总局为期两个月的思想作风整顿活动拉开了帷幕。这次思想作风整顿,是机关“五大建设”的一次重要尝试,标志
南京电子器件研究所在 2 0 0 1年研制出 WFD0 0 1 2型 2~ 6GHz功率单片放大器 ,该宽带大功率单片集成放大器的研制采用了南京电子器件研究所 76mm 0 .5μm HFET标准工艺以及