【摘 要】
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采用熔融-淬火方法制备了Cu2.95GaxSb1-xSe4（x=0,0.01,0.02和0.04）样品,系统地研究了Ga在Sb位掺杂对Cu3SbSe4热电性能的影响.研究结果表明,少量的Ga掺杂（x=0.01）可以有效提高空穴
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采用熔融-淬火方法制备了Cu2.95GaxSb1-xSe4（x=0,0.01,0.02和0.04）样品,系统地研究了Ga在Sb位掺杂对Cu3SbSe4热电性能的影响.研究结果表明,少量的Ga掺杂（x=0.01）可以有效提高空穴浓度,抑制本征激发,改善样品的电输运性能.掺Ga样品在625 K时功率因子达到最大值10μW/cm·K2,比未掺Ga的Cu2.95SbSe4样品提高了约一倍.但是随着Ga掺杂浓度的进一步提高,缺陷对载流子的散射增强,同时载流子有效质量增大,导致载流子迁移率急剧下降.因此Ga
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