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新型二维半导体原子晶体兼具原子级厚度、纳米级层状结构、极高的载流子迁移率,是构建未来高性能纳米光电器件的核心材料之一~1。其中带隙是半导体电子器件和光电子光器件中最重要的基本参数之一,是影响半导体电子器件开关比和光电器件的光电流响应的关键因素之一~2。
新型锗硅基半导体二维原子晶体合成与带隙调控
【摘 要】
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新型二维半导体原子晶体兼具原子级厚度、纳米级层状结构、极高的载流子迁移率,是构建未来高性能纳米光电器件的核心材料之一~1。其中带隙是半导体电子器件和光电子光器件中
【机 构】
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中国科技大学化学与材料科学学院
【出 处】
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物理化学学报
【发表日期】
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2020年11期
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