【摘 要】
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InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈.本文采
【机 构】
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华北光电技术研究所,北京,100015
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InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制.InSb器件Ⅰ-Ⅴ中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈.本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,对日常测试中出现的Ⅰ-Ⅴ失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电.
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