【摘 要】
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高频溅射生长的SiC非晶薄膜是一种含有Si-Si、Si-C、C-C键的混非晶结构。文中着重介绍了SiC非晶薄膜的直流电导、交流特性、退火性质、老化特性和R-T特性,为SiC薄膜温度传感
【机 构】
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中科院新疆物理所,中科院新疆物理所,中科院新疆物理所,中科院新疆物理所,中科院新疆物理所,
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高频溅射生长的SiC非晶薄膜是一种含有Si-Si、Si-C、C-C键的混非晶结构。文中着重介绍了SiC非晶薄膜的直流电导、交流特性、退火性质、老化特性和R-T特性,为SiC薄膜温度传感器的设计提供了理论依据。
The high-frequency sputtered SiC amorphous film is a mixed amorphous structure containing Si-Si, Si-C and C-C bonds. In this paper, the DC conductance, AC characteristics, annealing properties, aging characteristics and R-T characteristics of SiC amorphous thin films are introduced emphatically, which provides a theoretical basis for the design of SiC thin film temperature sensors.
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