Vanadium-Doped Semi-Insulating 6H-SiC for Microwave Power Device Applications

来源 :材料科学技术学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qnmdmmm

【摘要】

：

Two-inch semi-insulating SiC bulk crystals with resistivity higher than 1×106 Ωcm were achieved by vanadium doping during sublimation. Secondary-ion-mass-

【作者】

：

Liana Ning Zhihong Feng Yingmi

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofCrystalMaterials,HebeiSemiconductorResearchInstitute

【出处】

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材料科学技术学报：英文版

【发表日期】

：

2009年1期

【关键词】

：

碳化硅钒掺杂半绝缘微波能量 Silicon Carbide Semi-insulating Vanadium-doped AlGaN/GaN HEM

【基金项目】

：

This work was supported by the National Natural Science Foundation of China under grant No. 50472068 and No. 50721002, tile National ＂863＂ High Technology Research and Development Program of China und

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Two-inch semi-insulating SiC bulk crystals with resistivity higher than 1×106 Ωcm were achieved by vanadium doping during sublimation. Secondary-ion-mass-spectrometry (SIMS) was employed to determine the concen-tration of impurities in the crystals,

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