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产品规格
接口：PCIe 3.0x4
主控：忆芯科技STAR1000P NVMe 8N道主控
闪存：长江存储Xtacking架构64V=TLC 3D NAND闪存
缓存：512MB（512GB）、1GE（1TB）
可选容量：512GB、1TB
板型：M.2 2280
耐久度：300TBW（512GB）、600TBW（1TB）
参考价格
今年7月，《微型计算机》评测室曾对由国产主控芯片、国产闪存组成的国产SATA SSD：光威弈pro进行过详细报道。从文中可以看到，作为初出茅庐的国产产品，其性能达到了市场上主流SATA SSD的水准。值得称赞的是，为了提升我国计算机硬件技术水平，避免受制于人，当前国产存储技术的发展速度非常迅猛，距离上次测试仅仅两个月后，采用国产主控、国产NAND闪存、国产内存颗粒（用作缓存），技术水准较SATA产品有大幅提升的纯国产NVMe SSD：光威弈PRO M.2 NVMe SSD正式发布亮相，《微型计算机》评测室也在第一时间获得了样品。
相对于技术规格逐渐落后的SATA SSD，目前NVMe SSD已成为电脑内更加流行的存储设备，各种品牌、型号的NVMe SSD产品数不胜數，它们唯一的共性是其所用的芯片，特别是NAND闪存与缓存大多来自国外，只有部分产品使用了中国台湾地区的主控芯片。总体而言，NVMe SSD这个产品领域几乎被国外上游芯片公司所掌控，那么面对强劲的对手，刚刚问世的纯国产NVMe SSD能否在市场中争得一席之地，面对国外产品是否有自己的优势？接下来就让我们通过实战测试来得出答案。
光威弈PRO M.2 NVMe SSD产品解析
首先，在外观上光威弈PRO M.2 NVMe SSD采用M.22280板型设计，黑色PCB，最为醒目的是一层中国红贴纸覆盖在SSD正面，再辅以霸气的龙头Logo，彰显出产品的中国元素。值得注意的是，这层贴纸并不简单，内部还整合了石墨导热帖，借助石墨较高的导热系数，可以将热量更快速地传导到凉爽的区域，适合在笔记本电脑这类空间狭小、无法安装散热片的环境中使用。当然如果你将它用在台式机电脑上，也可撕掉这层贴纸，采用更专业的导热垫、散热器与SSD的主控芯片、闪存芯片紧密接触。
在内部组件上，光威弈PRO M.2 NVMe SSD最大的升级就是采用了来自忆芯科技的STAR1000P NVMe主控。STAR1000P是一款面向高端消费级以及入门企业级的PCIe SSD 8通道控制芯片，其核心技术完全自研，具有优秀的连续读写和随机读写性能，官标最高连续读写性能分别为3.5GB/s、3.0GB/s，随机4KB读写性能可达600K IOPS。同时这款主控芯片采用忆芯科技自研的StarNVMe、StarUCC等多项核心技术，全面支持NVMe 1.3标准，支持TCG-opal 2.0、硬件真随机数和SHA256、XTS-AES256加密，以及国外主控不支持的国产商用密码算法SM2、SM3、SM4。此外，该主控还加入了StarLDPC、SECDED保护所有片内RAM、全通路数据保护、高性能XOR引擎、RAID5/RAID6等安全与纠错技术，以确保存储数据安全无虞，并延长固态硬盘的使用寿命。
同时STAR1000P NVMe主控支持ONFI 4.0、Toggle 3.0闪存接口，闪存传输速率可达800MT/s，可支持2D＼3D SLC，MLC和TLC等多种闪存颗粒。此外这款主控芯片的标称功耗低于2.5W，预示着这款主控不仅功耗低，发热量也不会太高。
闪存方面，光威弈PRO M.2 NVMe SSD采用的还是长江存储科技有限责任公司研发的Xtacking架构64层TLC 3D NAND闪存。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND闪存获得更高的I/O接口速度与更多的操作功能，存储单元则在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，通过创新的Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA（垂直互联通道）将二者键合接通电路。同时Xtacking技术可充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。目前，长江存储科技基于Xtacking技术已经推出了采用64层、128层堆叠的TLC、QLC颗粒。
值得一提的是，针对定位更高的NVMe SSD，光威也为弈PRO M.2 NVMe SSD配备了独立缓存，用于存放记录数据位置的FTL映射表。SSD的读写操作都需要查询这张记录表，要想读写速度快，就需要把这张映射表存放在高性能的DRAM内存颗粒中。而这颗内存颗粒光威使用的则是来自我国长鑫存储技术生产的10nm级（实际生产工艺为19nm）DDR4 2666产品，其生产工艺水平已接近同样在使用10nm级生产工艺的国外内存颗粒厂商三星、美光。所以正是因为主控、闪存、缓存全都由国内厂商生产制造，也成就光威弈PRO M.2 NVMe SSD成为首款纯国产NVMe SSD。
目前光威弈PRO M.2 NVMe SSD主要由512GB、1TB两种容量的产品组成。它们之间除了容量上的区别外，在TBW可写寿命、缓存容量上也有差别。其中512GB容量产品的TBW为300TB，缓存容量为512MB，1TB产品的TBW为600TB，缓存容量为1GB。
我们如何测试
接下来我们特别搭建基于RAMPAGE Ⅵ EXTREMEENCORE主板的高端平台对光威弈PRO M.2 NVMe SSD进行了测试。测试中我们不仅使用AS SSD BENCHMARK、CrystalDiskMark、Anvil’s Storage Utilities进行了基准性能测试，还通过实际的影音文件、游戏文件传输测试，考察光威弈PRO M.2 NVMe SSD真实的文件传输能力。同时我们还通过PCMark 8存储性能测试、游戏启动时间计时考察了SSD在运行各类程序、游戏时的表现。当然我们也进行了大家非常关心的全盘读写测试，看看SSD在进行大容量读写测试时是否会出现掉速、发热量是否会急剧上升。 此外，为了让读者更直观地了解纯国产NVMe SSD的性能，我们还找来目前在市场上定位高端的WD_BLACK SN750EK 1TB SSD与它进行了对比测试，接下来就让我们看看纯国产NVMe SSD到底能有怎样的表现。
AS SSD性能突破6500分基准性能测试表现优异
基准测试默认容量测试
测试点评：从基准测试来看，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的成绩的确令人惊喜，其1TB产品在AS SSD BENCHMARK测试中的分数高达6540分，这一成绩在PCIe 3.0 NVMe SSD中也属于一流水准，明显超过了像三星970 PRO（不到6000分）、WD_BLACK SN750 EK SSD这些产品，这也是我们采用国外高端产品与它对比的主要原因。可以看到，在具体成绩上，光威弈PRO M.2 NVMe SSD不论是在连续读写、单线程随机4K、多线程随机4K性能上表现都不错，没有“偏科”，这也是它能拿到高分的主要原因。而在其他测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD1TB的测试成绩也可与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB媲美：在Anvil’s Storage Utilities测试中，成绩达到了后者的93%;在CrystaIDiskMark测试中，两者则是各有胜负，它们的最高连续读取速度都突破了3200MB/s，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB在随机4KB读取性能上有一定优势，WD_BLACK SN750EK SSD 1TB则在连续读写性能上的表现更好一点。
接下来再看看光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB产品的表现，一般来说，容量较少的SSD由于内部所用的闪存Die数量比容量高的产品Die数量少，主控的并行读写性能无法得到最大程度的发挥，因此性能要比大容量产品低一些。从测试结果来看也是如此，其512GB产品的测试成绩不如1TB产品，但它基本上也达到了1TB产品80～90%左右的性能，性能损失不是太大，还是位于PCIe 3.0 NVMe SSD里的中高端水平。
测试点评：考虑到基准测试软件在默认设置下的测试容量一般只有1GB，因此我们还使用软件可以设置的最大容量对SSD进行了测试，以考察SSD在大容量数据读写的环境下是否会出现掉速。从结果来看，在大容量数据测试、耗尽SLC Cache缓存后，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的确也会出现掉速。其1TB产品在AS SSD BENCHMARK中，连续写入速度从2526.5MB/s下跌到侣28.75MB/s;在Anvil’s Storage Utilities测试中，连续写入速度从2343.25MB/sT跌到1588_75MB/s;在CrystalDiskMark测试中，随机4K Q32T16写入性能也从2277.87MB/s下跌到1848.16MB/s。总体来看，成绩虽有下降，但下跌幅度不算大，整体性能仍能达到默认设置下的85%～90%左右。其实受TLC颗粒先天的性能限制，不少TLC SSD都会出现大容量写入掉速，一起参与测试的WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB也不例外，但这两款产品都能较好地控制掉速幅度，因此不会给用户的体验带来明显影响。而在光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB上，由于其容量更小，相應的其SLC Cache缓存容量也会进一步减小，所以它的掉速现象会更为明显，写入性能损失较大。
实际文件传输读写速度测试
测试点评：接下来我们还通过实际的文件传输，测试了各款SSD真实的文件传输能力。首先我们进行了对71.4GB影音文件的读与写，展现SSD的连续读写性能。从测试来看，在实际读写应用中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD与国外高端产品相比在连续读取性能上还有一定差距，不过在写入性能上表现较好。光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB的连续写入速度小幅超过WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB约106MB/s。而其512GB产品在读取性能上与1TB产品相当，但在写入性能上则由于SLC Cache较小，所以在写入速度上较1 TB产品要低不少。
而在写入由21498个小文件组成、总容量达68.8GB的游戏文件，展示SSD随机读写性能的测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的表现几乎完全一致，前者在写入性能上的表现要稍好一些，后者拥有略好一点的读取性能。至于其512GB产品，在随机写入性能上由于SLC Cache偏小，与1TB产品相比还是存在明显差距。
软件与游戏应用测试
测试点评：在游戏、程序应用中，凭借优秀的随机性能，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB也有不错的表现。在模拟实际应用的PCMark 8存储性能测试中，其成绩与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB完全相同，均为5065分，在各项应用中的读写时间二者非常接近。如在PCMark 8总共读写6108MB的Adobe Photoshop重载测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB的任务耗时只需349.9秒，WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的耗时为349.8秒。在实际的游戏载入体验中，光威弈PRO M.2NVMe SSD 1TB也能快速地启动各类游戏大作，比如《奇点灰烬：扩展版》在机械硬盘上启动需用时约一分钟，在这款SSD上的用时则大幅缩短到仅仅18.89秒，像《坦克世界》《僵尸世界大战》这类数据量不大的游戏分别也只需要6.87秒、12.94秒的启动时间。虽然WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的启动速度要更快一点，但其在三款游戏上的时间优势都不到0.3秒，用户很难在实际应用中感觉出来有任何区别。 至于光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB则仍由于容量较小、Die数量少，因此在应用性能测试中的成绩要低一些。当然由于都是NAND闪存介质，在应用中的实际体验差别其实也不大。如在Adobe Photoshop重载测试中，其用时也就350.5秒;在《奇点灰烬：扩展版》游戏中，它的启动时间仅多了约一秒;在《僵尸世界大战》《坦克世界》中所增加的游戏启动时间则都不到1秒。
全盘读写与发热量测试
测试点评：最后我们还对两款SSD进行了全盘读写性能测试，首先在读取性能上，它们的表现类似于基准测试，全盘平均读取速度都在2700MB/s以上。而在全盘写入测试中，我们则可清晰地发现两款不同容量SSD的SLC Cache的确有所区别。容量更大的1TB产品也拥有更大的SLC Cache，其缓存容量接近51GB，在写入容量超过51GB后则会出现掉速，不过掉速后的最低连续写入速度也能达到1066MB/s以上。而512GB产品的SLCCache容量则只有1TB产品的一半，约25.5GB。
同时我们还在全盘写入测试中，考察了固态硬盘的温度。从测试来看，在搭配ROG RAMPAGE Ⅵ EXTREME ENCORE主板上的M.2 SSD散熱片辅助散热后，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的发热量的确不高。其1TB产品在写满1TB后的最高温度只有51℃，512GB产品在写满512GB后的最高温度则只有45.6℃。
纯国产NVMe SSD表现远优于预期
经过以上测试，我们认为作为纯国产产品，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的表现很不错，完全超过我们的预期。要知道在测试光威弈PRO时，我们发现这款纯国产的SATA SSD的性能只达到了市场上主流SATA产品的性能。而到了现在的光威弈PRO M.2 NVMe SSD，借助国产忆芯STAR1000P NVMe 8通道主控、长江存储Xtacking架构64层TLC闪存、长鑫存储DDR4 2666内存颗粒，其性能实现了质的飞跃。除了在实际的连续读取速度上还有所差距外，它的整体性能完全可以与同容量的国外高端产品匹敌。值得一提的是，这还只是光威弈PRO M.2 NVMeSSD使用早期版固件所达到的性能水平，光威向我们表示还在不断对固件进行优化，以进一步提升性能与稳定性，本文所展示的测试成绩还不能代表光威弈PRO M.2 NVMe SSD上市后的最终表现。从这里可以看到我国在存储硬件技术上的发展的确非常迅猛，不仅远没有我们在CPU、GPU方面与国外的技术差距大，而且还逐步追上了国外产品的技术水准。目前长江存储已开发出了128层堆叠的闪存，闪存的存储容量、性能显然将进一步得到提升，再加上国产SSD主控还有其他国外产品所缺少的安全特性，如支持对安全性至关重要的国产商用密码算法SM2、SM3、SM4等，国产SSD的未来前景将非常可期。
接口：PCIe 3.0x4
主控：忆芯科技STAR1000P NVMe 8N道主控
闪存：长江存储Xtacking架构64V=TLC 3D NAND闪存
缓存：512MB（512GB）、1GE（1TB）
可选容量：512GB、1TB
板型：M.2 2280
耐久度：300TBW（512GB）、600TBW（1TB）
参考价格
今年7月，《微型计算机》评测室曾对由国产主控芯片、国产闪存组成的国产SATA SSD：光威弈pro进行过详细报道。从文中可以看到，作为初出茅庐的国产产品，其性能达到了市场上主流SATA SSD的水准。值得称赞的是，为了提升我国计算机硬件技术水平，避免受制于人，当前国产存储技术的发展速度非常迅猛，距离上次测试仅仅两个月后，采用国产主控、国产NAND闪存、国产内存颗粒（用作缓存），技术水准较SATA产品有大幅提升的纯国产NVMe SSD：光威弈PRO M.2 NVMe SSD正式发布亮相，《微型计算机》评测室也在第一时间获得了样品。
相对于技术规格逐渐落后的SATA SSD，目前NVMe SSD已成为电脑内更加流行的存储设备，各种品牌、型号的NVMe SSD产品数不胜數，它们唯一的共性是其所用的芯片，特别是NAND闪存与缓存大多来自国外，只有部分产品使用了中国台湾地区的主控芯片。总体而言，NVMe SSD这个产品领域几乎被国外上游芯片公司所掌控，那么面对强劲的对手，刚刚问世的纯国产NVMe SSD能否在市场中争得一席之地，面对国外产品是否有自己的优势？接下来就让我们通过实战测试来得出答案。
光威弈PRO M.2 NVMe SSD产品解析
首先，在外观上光威弈PRO M.2 NVMe SSD采用M.22280板型设计，黑色PCB，最为醒目的是一层中国红贴纸覆盖在SSD正面，再辅以霸气的龙头Logo，彰显出产品的中国元素。值得注意的是，这层贴纸并不简单，内部还整合了石墨导热帖，借助石墨较高的导热系数，可以将热量更快速地传导到凉爽的区域，适合在笔记本电脑这类空间狭小、无法安装散热片的环境中使用。当然如果你将它用在台式机电脑上，也可撕掉这层贴纸，采用更专业的导热垫、散热器与SSD的主控芯片、闪存芯片紧密接触。
在内部组件上，光威弈PRO M.2 NVMe SSD最大的升级就是采用了来自忆芯科技的STAR1000P NVMe主控。STAR1000P是一款面向高端消费级以及入门企业级的PCIe SSD 8通道控制芯片，其核心技术完全自研，具有优秀的连续读写和随机读写性能，官标最高连续读写性能分别为3.5GB/s、3.0GB/s，随机4KB读写性能可达600K IOPS。同时这款主控芯片采用忆芯科技自研的StarNVMe、StarUCC等多项核心技术，全面支持NVMe 1.3标准，支持TCG-opal 2.0、硬件真随机数和SHA256、XTS-AES256加密，以及国外主控不支持的国产商用密码算法SM2、SM3、SM4。此外，该主控还加入了StarLDPC、SECDED保护所有片内RAM、全通路数据保护、高性能XOR引擎、RAID5/RAID6等安全与纠错技术，以确保存储数据安全无虞，并延长固态硬盘的使用寿命。
同时STAR1000P NVMe主控支持ONFI 4.0、Toggle 3.0闪存接口，闪存传输速率可达800MT/s，可支持2D＼3D SLC，MLC和TLC等多种闪存颗粒。此外这款主控芯片的标称功耗低于2.5W，预示着这款主控不仅功耗低，发热量也不会太高。
闪存方面，光威弈PRO M.2 NVMe SSD采用的还是长江存储科技有限责任公司研发的Xtacking架构64层TLC 3D NAND闪存。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND闪存获得更高的I/O接口速度与更多的操作功能，存储单元则在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，通过创新的Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA（垂直互联通道）将二者键合接通电路。同时Xtacking技术可充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。目前，长江存储科技基于Xtacking技术已经推出了采用64层、128层堆叠的TLC、QLC颗粒。
值得一提的是，针对定位更高的NVMe SSD，光威也为弈PRO M.2 NVMe SSD配备了独立缓存，用于存放记录数据位置的FTL映射表。SSD的读写操作都需要查询这张记录表，要想读写速度快，就需要把这张映射表存放在高性能的DRAM内存颗粒中。而这颗内存颗粒光威使用的则是来自我国长鑫存储技术生产的10nm级（实际生产工艺为19nm）DDR4 2666产品，其生产工艺水平已接近同样在使用10nm级生产工艺的国外内存颗粒厂商三星、美光。所以正是因为主控、闪存、缓存全都由国内厂商生产制造，也成就光威弈PRO M.2 NVMe SSD成为首款纯国产NVMe SSD。
目前光威弈PRO M.2 NVMe SSD主要由512GB、1TB两种容量的产品组成。它们之间除了容量上的区别外，在TBW可写寿命、缓存容量上也有差别。其中512GB容量产品的TBW为300TB，缓存容量为512MB，1TB产品的TBW为600TB，缓存容量为1GB。
我们如何测试
接下来我们特别搭建基于RAMPAGE Ⅵ EXTREMEENCORE主板的高端平台对光威弈PRO M.2 NVMe SSD进行了测试。测试中我们不仅使用AS SSD BENCHMARK、CrystalDiskMark、Anvil’s Storage Utilities进行了基准性能测试，还通过实际的影音文件、游戏文件传输测试，考察光威弈PRO M.2 NVMe SSD真实的文件传输能力。同时我们还通过PCMark 8存储性能测试、游戏启动时间计时考察了SSD在运行各类程序、游戏时的表现。当然我们也进行了大家非常关心的全盘读写测试，看看SSD在进行大容量读写测试时是否会出现掉速、发热量是否会急剧上升。 此外，为了让读者更直观地了解纯国产NVMe SSD的性能，我们还找来目前在市场上定位高端的WD_BLACK SN750EK 1TB SSD与它进行了对比测试，接下来就让我们看看纯国产NVMe SSD到底能有怎样的表现。
AS SSD性能突破6500分基准性能测试表现优异
基准测试默认容量测试
测试点评：从基准测试来看，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的成绩的确令人惊喜，其1TB产品在AS SSD BENCHMARK测试中的分数高达6540分，这一成绩在PCIe 3.0 NVMe SSD中也属于一流水准，明显超过了像三星970 PRO（不到6000分）、WD_BLACK SN750 EK SSD这些产品，这也是我们采用国外高端产品与它对比的主要原因。可以看到，在具体成绩上，光威弈PRO M.2 NVMe SSD不论是在连续读写、单线程随机4K、多线程随机4K性能上表现都不错，没有“偏科”，这也是它能拿到高分的主要原因。而在其他测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD1TB的测试成绩也可与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB媲美：在Anvil’s Storage Utilities测试中，成绩达到了后者的93%;在CrystaIDiskMark测试中，两者则是各有胜负，它们的最高连续读取速度都突破了3200MB/s，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB在随机4KB读取性能上有一定优势，WD_BLACK SN750EK SSD 1TB则在连续读写性能上的表现更好一点。
接下来再看看光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB产品的表现，一般来说，容量较少的SSD由于内部所用的闪存Die数量比容量高的产品Die数量少，主控的并行读写性能无法得到最大程度的发挥，因此性能要比大容量产品低一些。从测试结果来看也是如此，其512GB产品的测试成绩不如1TB产品，但它基本上也达到了1TB产品80～90%左右的性能，性能损失不是太大，还是位于PCIe 3.0 NVMe SSD里的中高端水平。
测试点评：考虑到基准测试软件在默认设置下的测试容量一般只有1GB，因此我们还使用软件可以设置的最大容量对SSD进行了测试，以考察SSD在大容量数据读写的环境下是否会出现掉速。从结果来看，在大容量数据测试、耗尽SLC Cache缓存后，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的确也会出现掉速。其1TB产品在AS SSD BENCHMARK中，连续写入速度从2526.5MB/s下跌到侣28.75MB/s;在Anvil’s Storage Utilities测试中，连续写入速度从2343.25MB/sT跌到1588_75MB/s;在CrystalDiskMark测试中，随机4K Q32T16写入性能也从2277.87MB/s下跌到1848.16MB/s。总体来看，成绩虽有下降，但下跌幅度不算大，整体性能仍能达到默认设置下的85%～90%左右。其实受TLC颗粒先天的性能限制，不少TLC SSD都会出现大容量写入掉速，一起参与测试的WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB也不例外，但这两款产品都能较好地控制掉速幅度，因此不会给用户的体验带来明显影响。而在光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB上，由于其容量更小，相應的其SLC Cache缓存容量也会进一步减小，所以它的掉速现象会更为明显，写入性能损失较大。
实际文件传输读写速度测试
测试点评：接下来我们还通过实际的文件传输，测试了各款SSD真实的文件传输能力。首先我们进行了对71.4GB影音文件的读与写，展现SSD的连续读写性能。从测试来看，在实际读写应用中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD与国外高端产品相比在连续读取性能上还有一定差距，不过在写入性能上表现较好。光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB的连续写入速度小幅超过WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB约106MB/s。而其512GB产品在读取性能上与1TB产品相当，但在写入性能上则由于SLC Cache较小，所以在写入速度上较1 TB产品要低不少。
而在写入由21498个小文件组成、总容量达68.8GB的游戏文件，展示SSD随机读写性能的测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的表现几乎完全一致，前者在写入性能上的表现要稍好一些，后者拥有略好一点的读取性能。至于其512GB产品，在随机写入性能上由于SLC Cache偏小，与1TB产品相比还是存在明显差距。
软件与游戏应用测试
测试点评：在游戏、程序应用中，凭借优秀的随机性能，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB也有不错的表现。在模拟实际应用的PCMark 8存储性能测试中，其成绩与WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB完全相同，均为5065分，在各项应用中的读写时间二者非常接近。如在PCMark 8总共读写6108MB的Adobe Photoshop重载测试中，光威弈PRO M.2 NVMe SSD 1TB的任务耗时只需349.9秒，WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的耗时为349.8秒。在实际的游戏载入体验中，光威弈PRO M.2NVMe SSD 1TB也能快速地启动各类游戏大作，比如《奇点灰烬：扩展版》在机械硬盘上启动需用时约一分钟，在这款SSD上的用时则大幅缩短到仅仅18.89秒，像《坦克世界》《僵尸世界大战》这类数据量不大的游戏分别也只需要6.87秒、12.94秒的启动时间。虽然WD_BLACK SN750 EK SSD 1TB的启动速度要更快一点，但其在三款游戏上的时间优势都不到0.3秒，用户很难在实际应用中感觉出来有任何区别。 至于光威弈PRO M.2 NVMe SSD 512GB则仍由于容量较小、Die数量少，因此在应用性能测试中的成绩要低一些。当然由于都是NAND闪存介质，在应用中的实际体验差别其实也不大。如在Adobe Photoshop重载测试中，其用时也就350.5秒;在《奇点灰烬：扩展版》游戏中，它的启动时间仅多了约一秒;在《僵尸世界大战》《坦克世界》中所增加的游戏启动时间则都不到1秒。
全盘读写与发热量测试
测试点评：最后我们还对两款SSD进行了全盘读写性能测试，首先在读取性能上，它们的表现类似于基准测试，全盘平均读取速度都在2700MB/s以上。而在全盘写入测试中，我们则可清晰地发现两款不同容量SSD的SLC Cache的确有所区别。容量更大的1TB产品也拥有更大的SLC Cache，其缓存容量接近51GB，在写入容量超过51GB后则会出现掉速，不过掉速后的最低连续写入速度也能达到1066MB/s以上。而512GB产品的SLCCache容量则只有1TB产品的一半，约25.5GB。
同时我们还在全盘写入测试中，考察了固态硬盘的温度。从测试来看，在搭配ROG RAMPAGE Ⅵ EXTREME ENCORE主板上的M.2 SSD散熱片辅助散热后，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的发热量的确不高。其1TB产品在写满1TB后的最高温度只有51℃，512GB产品在写满512GB后的最高温度则只有45.6℃。
纯国产NVMe SSD表现远优于预期
经过以上测试，我们认为作为纯国产产品，光威弈PRO M.2 NVMe SSD的表现很不错，完全超过我们的预期。要知道在测试光威弈PRO时，我们发现这款纯国产的SATA SSD的性能只达到了市场上主流SATA产品的性能。而到了现在的光威弈PRO M.2 NVMe SSD，借助国产忆芯STAR1000P NVMe 8通道主控、长江存储Xtacking架构64层TLC闪存、长鑫存储DDR4 2666内存颗粒，其性能实现了质的飞跃。除了在实际的连续读取速度上还有所差距外，它的整体性能完全可以与同容量的国外高端产品匹敌。值得一提的是，这还只是光威弈PRO M.2 NVMeSSD使用早期版固件所达到的性能水平，光威向我们表示还在不断对固件进行优化，以进一步提升性能与稳定性，本文所展示的测试成绩还不能代表光威弈PRO M.2 NVMe SSD上市后的最终表现。从这里可以看到我国在存储硬件技术上的发展的确非常迅猛，不仅远没有我们在CPU、GPU方面与国外的技术差距大，而且还逐步追上了国外产品的技术水准。目前长江存储已开发出了128层堆叠的闪存，闪存的存储容量、性能显然将进一步得到提升，再加上国产SSD主控还有其他国外产品所缺少的安全特性，如支持对安全性至关重要的国产商用密码算法SM2、SM3、SM4等，国产SSD的未来前景将非常可期。