【摘 要】
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利用脉冲激光沉积法在Nb∶SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了NiO薄膜并构筑了Pt/NiO/NSTO异质结器件.该器件表现出典型的双极性阻变行为,具有多级电阻变换特性和优异的保持与翻转
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072;湖北民族大学信息工程学院,湖北恩施445000
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利用脉冲激光沉积法在Nb∶SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了NiO薄膜并构筑了Pt/NiO/NSTO异质结器件.该器件表现出典型的双极性阻变行为,具有多级电阻变换特性和优异的保持与翻转性能.在光照作用下,器件高阻态(highresis-tance state,HRS)的电阻值减小到暗场下电阻值的约1/100,而低阻态(low resistance state,LRS)的阻值无明显变化.对器件磁性的研究表明,LRS下的饱和磁化强度明显高于初始态(initialstate,IS)和HRS下的饱和磁化强度.这些结果归因于NiO/NSTO界面的电子注入束缚/解束缚和氧空位迁移.该器件在非易失性多级存储、光敏、磁电等多功能器件中有潜在的应用价值.
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