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随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展，硅霍尔传感器性能得到大幅度提高，特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术，使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。
BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理
【摘 要】
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随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展，硅霍尔传感器性能得到大幅度提高，特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术，使产品的稳定性、工作
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所
【出 处】
：
传感器世界
【发表日期】
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2008年5期
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