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利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al2O3)衬底上制备了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RHEED)图样的原位观察表明,多量子阱结构是以二维模式生长的.从光致发光谱中可以看到ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱在室温仍具有明显的量子限域效应.在290K时阱宽为3nm的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的发光峰位于3.405eV,通过变温发光谱研究了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱的发光来源,在较低温度下为ZnO束缚激子辐射复合,而在较高温度下发光以自由激子为主.3nm的ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱束缚能为73meV.