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本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响 实验研究，实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显变，蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成报电子阱电荷所致。
薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究
【摘 要】
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本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响 实验研究，实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显变，蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅
【出 处】
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半导体学报：英文版
【发表日期】
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1995年7期
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