【摘 要】
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通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100μm,腔长2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049;北京量子信息科学研究院,北京 100193;山西大学物理与电子工程学院固
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通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100μm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作,阈值电流密度为110 A/cm-2,在80℃下仍然可以实现连续工作,在50℃以下范围内,特征温度达到405 K.“,”GaAs-based 1.3 μm InAs quantum dot laser have been grown by MBE system.Under the optimized InAs quantum dots growth temperature of 520℃,and the methods of Be-doping in the active region are adopted for better device performance.With a ridge width of 100 μm and cavity length of 2 mm,the maximum output power of single facet without coating has reached up to 1008 mW under continuous wave(CW)operation at room temperature,and the threshold current density is 110 A/cm2.The QD lasers can still operate at continuous waves (CW)up to 80℃,and the characteristic temperature below 50℃is as high as 405 K.
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