【摘 要】
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采用铑（Rh）靶45kV X射线源进行了碲锌镉（CdZnTe）面元像素阵列探测器成像实验。实验结果表明：在探测距离1mm,管电压45kV条件下,管电流增大至20μA时,辐照中心区域像素单元信号丢失,
【机 构】
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重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,中国工程物理研究院电子工程研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金项目（10876044）, 中央高校基本科研业务费资助项目（CDJXS11122219）
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采用铑（Rh）靶45kV X射线源进行了碲锌镉（CdZnTe）面元像素阵列探测器成像实验。实验结果表明：在探测距离1mm,管电压45kV条件下,管电流增大至20μA时,辐照中心区域像素单元信号丢失,出现围绕辐照中心区域的边缘高事件计数环形探测图像。随着管电流的增大,无响应像素区域扩大,探测器总体事件计数明显降低。进一步根据泊松方程建立了CdZnTe晶体内部电势分布模型,仿真结果表明：单位面积光子通量为5×105 mm-2.s-1时,由于CdZnTe晶体较低的空穴迁移率,晶体内部存在堆积空穴载流子
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