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研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱.用非接触式测量方法--光谱法测定了等离子体特性.讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系,薄膜生长与等离子体内活性粒子之间的关系.
射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
【摘 要】
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研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱.用非接触式测量方法--光谱法测定了等离子体特性.讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光
【机 构】
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清华大学电机系,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2002年2期
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