作为半导体市场中主要存储芯片之一,NAND已从2D发展到3D.3D NAND的立体存储结构提高了芯片容量、性能和可靠性.在3D NAND的交替堆栈结构中,需通过氮化-物氧化物的选择性刻蚀获得层间介质层,堆栈层数越多,芯片性能越好,但高层堆栈的刻蚀均匀性也更难保持,此时易出现SiO2在氧化层端头再沉积的回沾现象,层间结构被破坏,影响器件性能.要达到更高层数必须减少回沾,探究该过程及其影响因素成为关键所在.本文综述了3D NAND制程中氮化硅选择性刻蚀工艺的发展现状和现有研究成果,强调了控制硅含量对防止回沾的重要性,介绍了相关理论模型,提供模拟预测.为深入分析其中的化学反应,本文对相关的SiO2溶液化学进行了概述,总结了聚硅酸形成的影响因素,强调胶凝曲线能反应其聚合行为,据此可研究怎样通过影响硅酸聚合行为或聚硅酸在氧化层表面的沉积行为来防止回沾,以对未来研究起到理论指导作用.