热氧化法中温度对Ga2O3薄膜性质的影响

来源 :辽宁师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ZHUTINGFNEG12
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利用干热氧化方法,对蓝宝石衬底上沉积的GaN薄膜进行热氧化处理制备出了Ga2O3薄膜.研究了氧化温度对Ga2O3薄膜的结构、形貌、氧化层厚度和化学组分的影响.X射线衍射结果显示,氧化后的GaN薄膜上形成了Ga2O3薄膜.当氧化温度处在850-950℃时,Ga2O3薄膜呈现出单一的β型结构,而当氧化温度高于1000℃时,Ga2O3薄膜呈现出多晶结构.扫描电子显微镜测试显示,Ga2O3薄膜的表面由三角岛状结构组成,这些岛具有直线边界,岛的尺寸随着氧化温度的升高而逐渐增加.Ga2O3薄膜的厚度随着氧化温度的升高
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